三、資源綜合利用及能耗
（一）光伏制造企業(yè)和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節(jié)約集約用地。
（二）光伏制造項目能耗應滿足以下要求：
1.現(xiàn)有多晶硅項目還原電耗小于65千瓦時/千克，綜合電耗小于120千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于55千瓦時/千克，綜合電耗小于100千瓦時/千克；
2.現(xiàn)有硅錠項目平均綜合能耗小于8.5千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于7千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準單晶或高效多晶產(chǎn)品，項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克；
3.現(xiàn)有硅棒項目平均綜合能耗小于45千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于40千瓦時/千克；
4.現(xiàn)有多晶硅片項目平均綜合能耗小于45萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于40萬千瓦時/百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項目平均綜合耗小于40萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于35萬千瓦時/百萬片；
5.電池項目平均綜合能耗小于12萬千瓦時/MWp；
6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于6萬千瓦時/MWp；薄膜電池組件項目平均能耗小于50萬千瓦時/MWp。
（三）光伏制造項目生產(chǎn)水耗應滿足以下要求：
1.多晶硅項目水循環(huán)利用率不低于95%；
2.硅片項目水耗低于1400噸/百萬片；
3.電池項目水耗低于1700噸/MWp。
（四）其他生產(chǎn)單耗需滿足國家相關(guān)標準。
四、環(huán)境保護
（一）新建和改擴建光伏制造項目應嚴格執(zhí)行環(huán)境影響評價制度，未通過環(huán)境影響評價審批的項目不得開工建設。按照環(huán)境保護“三同時”要求，項目配套建設環(huán)境保護設施應依法申請項目竣工環(huán)境保護驗收，驗收合格后方可投入生產(chǎn)運行。企業(yè)應有健全的企業(yè)環(huán)境管理機構(gòu)，制定有效的企業(yè)環(huán)境管理制度，定期開展清潔生產(chǎn)審核。
（二）廢氣、廢水排放應符合國家和地方大氣及水污染物排放標準和總量控制要求；惡臭污染物排放應符合《惡臭污染物排放標準》(GB14554)，對產(chǎn)生的工業(yè)固體廢物要依法貯存、處置或綜合利用，應符合《危險廢物貯存污染控制標準》（GB18597）和《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場污染控制標準》（GB18559）相關(guān)要求，SiCl4等危險廢物應委托具備相應處理能力的有資質(zhì)單位進行妥善處置；廠界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標準》（GB12348）。
（三）鼓勵企業(yè)通過ISO14001環(huán)境管理體系認證、ISO14064溫室氣體核證、PAS2050/ISO/TS14067碳足跡認證。
（四）光伏制造項目應按照環(huán)境影響報告書（表）及其批復、國家或地方污染物排放（控制）標準、環(huán)境監(jiān)測技術(shù)規(guī)范的要求，制定自行監(jiān)測方案，開展自行監(jiān)測工作，公開自行監(jiān)測信息。
